FGH40T65SHD-F155
- 发布时间：2025/6/26 10:07:11
- 所属类别：集成电路 » 集成电路
- 公 司：兆亿微波（北京）科技有限公司
- 联 系 人：韩
FGH40T65SHD-F155属性
FGH40T65SHD-F155描述
技术: Si
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.6 V
栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流: 80 A
Pd-功率耗散: 268 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
系列: FGH40T65SHD
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
产品类型: IGBT Transistors
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联系方式
- 联系人：韩
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