FCP165N65S3
- 发布时间：2025/6/26 10:03:01
- 所属类别：集成电路 » 集成电路
- 公 司：兆亿微波（北京）科技有限公司
- 联 系 人：韩
FCP165N65S3属性
FCP165N65S3描述
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 19 A
Rds On-漏源导通电阻: 165 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 39 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 154 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 13 ns
正向跨导 - 最小值: 12 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 22 ns
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联系方式
- 联系人：韩
- 地 址：北京市海淀区上地三街9号E座2层
- 邮 编：100085
- 电 话：15321902067
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