FS820R08A6P2B
FS820R08A6P2B属性
- MODULE
- INFINEON
FS820R08A6P2B描述
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 8366504325
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.53
Samacsys Description Trans IGBT Module N-CH 750V 820A
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2023-03-07 17:25:40
YTEOL 5.38
外壳连接 ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 820 A
集电极-发射极最大电压 750 V
配置 3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极发射器阈值电压最大值 6.5 V
门极-发射极最大电压 20 V
JESD-30 代码 R-XUFM-X33
元件数量 6
端子数量 33
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -40 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 714 W
表面贴装 NO
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 1110 ns
标称接通时间 (ton) 380 ns
VCEsat-Max 1.35 V