SI4166DY-T1-GE3
SI4166DY-T1-GE3属性
- SI4166DY-T1-GE3
- VISHAY
SI4166DY-T1-GE3描述
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 30.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 65 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 6.5 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
产品类型: MOSFET
系列: SI4
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
宽度: 3.9 mm
零件号别名: SI4166DY-GE3
单位重量: 187 mg