SIHG20N50C-E3

SIHG20N50C-E3属性

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SIHG20N50C-E3描述

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制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 270 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 65 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 mW
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 44 ns
正向跨导 - 最小值: 6.4 S
高度: 20.82 mm
长度: 15.87 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 27 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 80 ns
宽度: 5.31 mm
单位重量: 6 g

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