IRF100B201
IRF100B201属性
- IRF100B201
- INFINEON
IRF100B201描述
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 192 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 170 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 441 W
通道模式: Enhancement
商标名: StrongIRFET
封装: Tube
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 100 ns
正向跨导 - 最小值: 278 S
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 97 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
宽度: 4.4 mm
零件号别名: IRF100B201 SP001561498
单位重量: 2 g