QPGAU3S03H

QPGAU3S03H属性

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QPGAU3S03H描述

QPGAU3S03H ： 905nm 脉冲激光二极管。公司优势库存。
深圳市大唐盛世半导体有限公司
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PGA系列脉冲半导体激光器有单腔，双腔，三腔或四腔落射腔版本。
Excelitas Technologies的PGA系列单和多外延905 nm脉冲半导体激光器由密封封装的器件组成，该器件具有多达四个有源激光腔，这些激光腔在单个GaAs衬底芯片上外延生长。这种多腔设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，有源层厚度为225 μm的QPGA四通道激光器，其宽度具有四个外延生长的激光层，可提供大于100 W的输出峰值功率，并且通过将三个四通道芯片另外堆叠到单个封装中，可用的器件功率甚至超过300W。 PGA系列的芯片具有75和225 μmand的条带宽度，分为单（PGA），双（DPGA），三（TPGA）或四倍
（QPGA）Epi-cavity版本，还可以堆叠以进一步提高输出功率。PGA系列在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散，在结平面内散布了10°的光束。功率输出在整个MIL规格温度范围内均具有出色的稳定性。结构是使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）制成的。认识到不同的应用需要不同的封装，有六种标准封装可供选择，包括传统的螺柱设计以及5.6和9 mm CD封装以及陶瓷基板。由于应用中的脉冲宽度减小了，并且光耦合变得越来越重要，因此新型封装（具有减小的电感和更薄，更平坦的窗口）广受欢迎。此外，在涉及光纤耦合应用的地方，EPI腔有源区域的横向间距将更多的光功率集中在较小的几何形状允许增加光功率耦合到光纤中。
主要特点
单晶腔输出功率的两倍，三倍或四倍
3个物理堆叠的四层Epi-腔芯片的峰值功率> 300 W
极高的可靠性
自1990年代初以来在安全应用中经过验证
单件和堆叠设备的范围
选择6种标准包装。
在85°C时保持80％的功率
周围
针对不同应用程序的定制灵活性
小发射区增加了光纤耦合输出
符合RoHS
应用领域
激光测距
激光安全幕（激光扫描）
红外夜间照明
激光速度测量（激光雷达）
汽车自适应巡航控制（ACC）
医疗和其他分析应用中的材料激发
武器模拟
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