TPGAU1S09H

TPGAU1S09H属性

---

TPGAU1S09H描述

TPGAU1S09H ： 脉冲激光二极管。公司优势库存。
深圳市大唐盛世半导体有限公司
手 机：17727572380 （程R)。13008842056(张R)
电 话：0755-83226739
Q Q:626839837。3160836686
微信号：15096137729。13008842056
PGA系列脉冲半导体激光器有单，双，三或四倍落射腔版本。
Excelitas Technologies的PGA系列单和多外延905 nm脉冲半导体激光器由具有多达四个有源激光腔的气密封装器件组成，这些器件外延生长在单个GaAs衬底芯片上。这种多腔设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，有源层厚度为225 μm的QPGA四路激光器，具有四个外延生长的激光层，可提供大于100 W的输出峰值功率，并且通过将三个四路芯片另外堆叠到一个封装中，可用的设备功率甚至超过300 W. PGA系列的激光芯片的条带宽度分别为75和225 μm
并以单（PGA），双（DPGA），三（TPGA）或四倍
（QPGA）Epi-cavity版本，还可以堆叠以进一步提高输出功率。 PGA系列在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，并且在结平面内散布了10°的光束。功率输出在整个MIL规格温度范围内均具有出色的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。认识到不同的应用需要不同的包装，有六种标准包装可供选择，包括传统的双头螺栓设计以及5.6和9 mm CD包装和陶瓷基板。由于应用中的脉冲宽度减小并且光耦合变得越来越重要，因此新型封装（具有减小的电感和更薄，更平坦的窗口）广受欢迎。此外，在涉及光纤耦合应用的地方，EPI腔有效区域的横向间距将更多的光功率集中到更小的几何形状中，从而增加耦合到光纤中的光功率
主要特点
单晶腔输出功率的两倍，三倍或四倍
3个物理堆叠的四层Epi-腔芯片的峰值功率> 300 W
极高的可靠性
自1990年代初以来在安全应用中经过验证
单件和堆叠设备的范围
选择6种标准包装。
在85°C的环境下保持80％的功率
针对不同应用程序的定制灵活性
小发射区增加了光纤耦合输出
符合RoHS
应用领域
激光测距
激光安全幕（激光扫描）
红外夜间照明
激光速度测量（激光雷达）
汽车自适应巡航控制（ACC）
医疗和其他分析应用中的材料激发
武器模拟
同类产品：
TPGAD1S11A-4A
PGAU1S16H
PGAU4S16H
TPGAU2S03H
TPGAU1S09H
PVGR1S14H
PVGR4S12H
PVGR1S12H
PVGS2S06H
PVGS1S06H
PGAU1S03H
QPGEW1S03H
PGAU3S06H
QPGAU3S03H
PGAS1S12H
PGEW1S09H
PGAU1S09H
PGAU3S09H
DPGAU1S09H
PGAS1S03H
DPGEW1S09H
GAU3S12H
PGAS1S24H
GAS3S12H
PGAU4S12H
QPGAU1S03H
PGAS3S09H
PGAU1S06H
DPGAU1S03H
TPGEW1S09H
PGAS4S12H
PGAU1S09H
PGAU1S03H
QPGAU1S09H
TPGAU1S03H
QPGEW1S09H
PGAS4S16H
PGAU1S12H
QPGAU2S09H
DPGEW1S03H
PGAS1S06H
TPGAU2S09H
TPGEW1S03H
PGAS1S09H
QPGAU2S03H
QPGAU3S09H

---

TPGAU1S09H相关产品