CSD87381P

CSD87381P属性

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CSD87381P描述

CSD87381P描述制造商:TexasInstruments
产品种类:MOSFET
RoHS:无铅环保
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:PTAB-5
通道数量:2Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:30V
Id-连续漏极电流:8A
RdsOn-漏源导通电阻:16.3mOhms,7.6mOhms
Vgs-栅极-源极电压:8V
Vgsth-栅源极阈值电压:1.1V,1V
Qg-栅极电荷:3.9nC,8.9nC
最小工作温度:-55C
最大工作温度:+150C
Pd-功率耗散:4W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
商标名:NexFET
封装:Reel
高度:0.48mm
长度:3mm
系列:CSD87381P
晶体管类型:2N-Channel
宽度:2.5mm
商标:TexasInstruments
正向跨导-最小值:40S,89S
开发套件:CSD87381PEVM-603
下降时间:3ns,2.9ns
产品类型:MOSFET
上升时间:19.3ns,16.3ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:10.6ns,16.8ns
典型接通延迟时间:6.7ns,7.9ns

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