FQA30N40
FQA30N40属性
- TO-3P
- ON
FQA30N40描述
FQA30N40描述FQA30N40品牌为:ON原装正品
FQA30N40封装为:TO-3P
FQA30N40细节图如下:
FQA30N40详细参数如下:
FQA30N40一般信息
数据列表FQA30N40;
标准包装450
包装管件
零件状态有源
类别分立半导体产品
产品族晶体管-FET,MOSFET-单
系列QFET®
FQA30N40规格
FET类型N通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)400V
电流-连续漏极(Id)(25°C时)30A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)10V
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值)140毫欧@15A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值)5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值)120nC@10V
Vgs(最大值)±30V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)4400pF@25V
FET功能-
功率耗散(最大值)290W(Tc)
工作温度-55°C~150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-3PN
封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
联系方式:13717127837 微信同步李小姐
因我司型号较多无法一一列出,欢迎直接联系我司,竭诚为您服务~
公司分销多种国际知名品牌系列电子元器件如:BB、TOSHIBA、ST、IR、TI、ON、PHILIPS(NXP)、
INFINEON、IXYS、APT、VISHAY、FUJI、NIEC、SANYO、SANKEN、RENESAS、SAMSUNG、ATMEL、MAXIM、
DALLAS、POWER、ROHM、NEC、KEC、JRC、AOS、NS、AD、UTC等原装正品。
优势产品线:MOSFET场效应管、可控硅、快恢复二极管、肖特基管、大功率IGBT
以及集成电路IC、电源驱动IC、音响功放IC、贴片MOSFET、片状二、三极管。