FGH40T120SMD
FGH40T120SMD属性
- 面议
- TO-247
- ON
FGH40T120SMD描述
制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3L
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 1.8 V
栅极/发射极最大电压: 25 V
在25 C的连续集电极电流: 80 A
Pd-功率耗散: 555 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
系列: FGH40T120SMD
封装: Tube
工作温度范围: - 55 C to + 175 C
商标: ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流: +/- 400 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 450
子类别: IGBTs
单位重量: 6.390 g