FCI7N60

FCI7N60属性

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FCI7N60描述

制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-262-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 600 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 83 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: SuperFET
封装: Tube
高度: 7.88 mm
长度: 10.29 mm
系列: FCI7N60
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.83 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
下降时间: 32 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 55 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 75 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
单位重量: 2.084 g

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