MJD31C-13

MJD31C-13属性

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MJD31C-13描述

MJD31C-13
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 无铅环保
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V
集电极—基极电压 VCBO: 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 1.2 V
最大直流电集电极电流: 3 A
Pd-功率耗散: 1560 mW
增益带宽产品fT: 3 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: MJD31C
封装: Reel
直流电流增益 hFE 最大值: 40 at 3 A, 4 V
高度: 2.4 mm
长度: 6.8 mm
技术: Si
宽度: 6.2 mm
商标: Diodes Incorporated
集电极连续电流: 3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 25
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
单位重量: 350 mg
深圳市川蓝电子科技有限公司
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