SI4425DDY-T1-GE3

SI4425DDY-T1-GE3属性

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SI4425DDY-T1-GE3描述

SI4425DDY-T1-GE3
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 19.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 53 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 5.7 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Reel
系列: SI4
晶体管类型: 1 P-Channel
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 40 S
下降时间: 9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 42 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
零件号别名: SI4425DDY-GE3
单位重量: 187 mg
深圳市川蓝电子科技有限公司
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