晶体管 MSD601-RT1G 半导体产品

晶体管 MSD601-RT1G 半导体产品属性

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晶体管 MSD601-RT1G 半导体产品描述

MSD601-RT1G介绍：
描述 TRANS GP NPN 100MA 50V SC59
制造商标准提前期 2 周
详细描述 Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-59
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值） 50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值） 100nA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 210 @ 2mA，10V
功率 - 最大值 200mW
频率 - 跃迁 -
工作温度 -
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装 SC-59
基本零件编号 MSD601
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随隅器）。

公司广泛的产品系列包括电源、模拟、数字信号处理器、混合信号、先进逻辑、时钟管理和标准元器件。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和网络。

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