晶体管 TK12A60D FET-MOSFET

晶体管 TK12A60D FET-MOSFET属性

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晶体管 TK12A60D FET-MOSFET描述

TK12A60D介绍：

描述 MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS

详细描述 通孔 N 沟道 600V 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Toshiba Semiconductor and Storage

系列 π-MOSVII

包装 管件

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 550 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 38nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 45W（Tc）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220SIS

封装/外壳 TO-220-3 整包

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晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。



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