晶体管 SIHF8N50D-E3 FET-MOSFET
晶体管 SIHF8N50D-E3 FET-MOSFET属性
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晶体管 SIHF8N50D-E3 FET-MOSFET描述
SIHF8N50D-E3介绍:
描述 MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220 FLPK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 18 周
详细描述 通孔 N 沟道 500V 8.7A(Tc) 33W(Tc) TO-220 整包
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 850 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 527pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 33W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220 整包
封装/外壳 TO-220-3 整包
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
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根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件。
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