晶体管 PMV100ENEAR 半导体产品

晶体管 PMV100ENEAR 半导体产品属性

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晶体管 PMV100ENEAR 半导体产品描述

PMV100ENEAR介绍：
描述 MOSFET N-CH 30V TO-236AB
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 8 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 3A（Ta） 460mW（Ta）, 4.5W（Tc） TO-236AB（SOT23）
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 汽车级，AEC-Q101
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 72 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 460mW（Ta）, 4.5W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-236AB（SOT23）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。

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