MOSFET - 单 RTE002P02TL 半导体产品
MOSFET - 单 RTE002P02TL 半导体产品属性
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MOSFET - 单 RTE002P02TL 半导体产品描述
RTE002P02TL介绍:
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 不適用於新設計
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 150mW(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.5 欧姆 @ 200mA,4.5V
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 EMT3
封装/外壳 SC-75,SOT-416
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
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以金氧半场效晶体管(MOSFET)的命名来看,事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET跟英文单字“metal(金属)”的第一个字母M,在当下大部分同类的组件里是不存在的。早期金氧半场效晶体管栅极使用金属作为材料,但随着半导体技术的进步,现代的金氧半场效晶体管栅极已用多晶硅取代了金属。
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