半导体产品 FDMS3604S MOSFET - 阵列

半导体产品 FDMS3604S MOSFET - 阵列属性

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半导体产品 FDMS3604S MOSFET - 阵列描述

FDMS3604S介绍：
描述 MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 39 周
详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 23A 1W Surface Mount Power56
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A，23A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.7V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1785pF @ 15V
功率 - 最大值 1W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerTDFN
供应商器件封装 Power56
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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金属氧化物半导体场效应管（英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

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