分立半导体产品 SI2308BDS-T1-GE3 晶体管 - FET

分立半导体产品 SI2308BDS-T1-GE3 晶体管 - FET属性

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分立半导体产品 SI2308BDS-T1-GE3 晶体管 - FET描述

SI2308BDS-T1-GE3介绍:
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay SilIConix
系列 TrenchFET?
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 190pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.09W（Ta），1.66W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 156 毫欧 @ 1.9A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。

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