SDRAM MT47H64M16NF-25E:M 存储器
SDRAM MT47H64M16NF-25E:M 存储器属性
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SDRAM MT47H64M16NF-25E:M 存储器描述
MT47H64M16NF-25E:M介绍;
描述 IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 84FBGA
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 3(168 小时)
详细描述 SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 400MHz 400ps 84-FBGA(8x12.5)
类别 集成电路(IC)
存储器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包装 ? 散装 ?
零件状态 在售
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - DDR2
存储容量 1Gb (64M x 16)
时钟频率 400MHz
写周期时间 - 字,页 15ns
访问时间 400ps
存储器接口 并联
电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V
工作温度 0°C ~ 85°C(TC)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 84-TFBGA
供应商器件封装 84-FBGA(8x12.5)
基本零件编号 MT47H64M16
安富利(深圳)商贸有限公司介绍;
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以存储体(大量存储单元组成的阵列)为核心,加上必要的地址译码、读写控制电路,即为存储集成电路;再加上必要的I/O接口和一些额外的电路如存取策略管理,则形成存储芯片,比如手机中常用的存储芯片。得益于新的IC制造或芯片封装工艺,现在已经有能力把DRAM和FLASH存储单元集成在单芯片里。存储芯片再与控制芯片(负责复杂的存取控制、存储管理、加密、与其他器件的配合等)及时钟、电源等必要的组件集成在电路板上构成整机,就是一个存储产品,如U盘。从存储单元(晶体管阵列)到存储集成电路再到存储设备,都是为了实现信息的存储,区别是层次的不同。
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