SDRAM MT47H64M16NF-25E:M 存储器

SDRAM MT47H64M16NF-25E:M 存储器属性

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SDRAM MT47H64M16NF-25E:M 存储器描述

MT47H64M16NF-25E:M介绍；
描述 IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 84FBGA
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）
详细描述 SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 400MHz 400ps 84-FBGA（8x12.5）
类别 集成电路（IC）
存储器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包装 ? 散装 ?
零件状态 在售
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - DDR2
存储容量 1Gb （64M x 16）
时钟频率 400MHz
写周期时间 - 字，页 15ns
访问时间 400ps
存储器接口 并联
电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V
工作温度 0°C ~ 85°C（TC）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 84-TFBGA
供应商器件封装 84-FBGA（8x12.5）
基本零件编号 MT47H64M16

安富利（深圳）商贸有限公司介绍；
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以存储体（大量存储单元组成的阵列）为核心，加上必要的地址译码、读写控制电路，即为存储集成电路；再加上必要的I/O接口和一些额外的电路如存取策略管理，则形成存储芯片，比如手机中常用的存储芯片。得益于新的IC制造或芯片封装工艺，现在已经有能力把DRAM和FLASH存储单元集成在单芯片里。存储芯片再与控制芯片（负责复杂的存取控制、存储管理、加密、与其他器件的配合等）及时钟、电源等必要的组件集成在电路板上构成整机，就是一个存储产品，如U盘。从存储单元（晶体管阵列）到存储集成电路再到存储设备，都是为了实现信息的存储，区别是层次的不同。

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