VEC2102-TL-E 全国供应商、价格、PDF资料

VEC2102-TL-E详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANS PNP DUAL 30V 3A VEC8

系列：-

制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation

晶体管类型：2 PNP（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：235mV @ 30mA，1.5A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 500mA，2V

功率_最大：1.1W

频率_转换：380MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

供应商设备封装：8-VEC

包装：剪切带 (CT)

VEC2102-TL-E详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANS PNP DUAL 30V 3A VEC8

系列：-

制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation

晶体管类型：2 PNP（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：235mV @ 30mA，1.5A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 500mA，2V

功率_最大：1.1W

频率_转换：380MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

供应商设备封装：8-VEC

包装：带卷 (TR)

VEC2102-TL-E详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANS PNP DUAL 30V 3A VEC8

系列：-

制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation

晶体管类型：2 PNP（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：235mV @ 30mA，1.5A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 500mA，2V

功率_最大：1.1W

频率_转换：380MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

供应商设备封装：8-VEC

包装：Digi-Reel®