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TPCC8008(TE12L,QM) 全国供应商、价格、PDF资料

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TPCC8008(TE12L,QM)详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：25A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫欧 @ 12.5A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1A
闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 10V
功率_最大：30W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装：8-TSON
包装：带卷 (TR)

TPCC8008(TE12L,QM)详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：25A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫欧 @ 12.5A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1A
闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 10V
功率_最大：30W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装：8-TSON
包装：Digi-Reel®

TPCC8008(TE12L,QM)详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：25A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫欧 @ 12.5A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1A
闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 10V
功率_最大：30W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装：8-TSON
包装：剪切带 (CT)

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