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TPCC8003-H(TE12LQM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：13A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.9 毫欧 @ 6.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 200µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 10V; 功率_最大：22W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘; 供应商设备封装：8-TSON; 包装：剪切带 (CT)

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TPCC8003-H(TE12LQM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：13A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.9 毫欧 @ 6.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 200µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 10V; 功率_最大：22W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘; 供应商设备封装：8-TSON; 包装：带卷 (TR)

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