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» 型号"TNPW25122K32BETG"的供应信息
TNPW25122K32BETG 全国供应商、价格、PDF资料
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TNPW25122K32BETG详细规格
类别:芯片电阻 - 表面安装
描述:RES 2.32K OHM 1/2W 0.1% 2512
系列:TNPW
制造商:Vishay Dale
电阻333Ω444:2.32k
功率333W444:0.5W,1/2W
成分:薄膜
特性:-
温度系数:±25ppm/°C
容差:±0.1%
封装/外壳:2512(6432 公制)
供应商器件封装:2512
大小/尺寸:0.248" L x 0.122" W(6.30mm x 3.10mm)
高度:0.030"(0.75mm)
端子数:2
包装:带卷 (TR)
TNPW25122K32BETG供应商
查看更多TNPW25122K32BETG的供应商
TPCA8056-H,LQ(M
FET - 单 Toshiba 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP-ADV
TPC8A01(TE12L,Q)
FET - 阵列 Toshiba 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) MOSFET 2N-CH 30V 8.5A/6A 8-SOP
USR 2-0808 2K OHM D 0.01% 1PPM
通孔电阻器 Riedon 径向 RES 2.0KOHM .6W .01% FOIL RADIAL
URZ0J222MHD
电容器 Nichicon 径向,Can CAP ALUM 2200UF 6.3V 20% RADIAL
URS1HR47MDD
电容器 Nichicon 径向,Can CAP ALUM 0.47UF 50V 20% RADIAL
TNPW25122K32BEEY
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 2.32K OHM 1/2W 0.1% 2512
TNPW121082K0BEEA
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1210(3225 公制) RES 82.0K OHM 1/3W 0.1% 1210
TPCA8065-H,LQ(S
FET - 单 Toshiba 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP-ADV
URZ0J330MDD
电容器 Nichicon 径向,Can CAP ALUM 33UF 6.3V 20% RADIAL
TNPW121082R0BEEN
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1210(3225 公制) RES 82.0 OHM 1/3W 0.1% 1210
URZ1A221MDD
电容器 Nichicon 径向,Can CAP ALUM 220UF 10V 20% RADIAL
URS1V101MPD
电容器 Nichicon 径向,Can CAP ALUM 100UF 35V 20% RADIAL
USR 2-0808 350 OHM D 0.01% 1PPM
通孔电阻器 Riedon 径向 RES 350 OHM .6W .01% FOIL RADIAL
TPCC8003-H(TE12LQM
FET - 单 Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
URZ1C222MHD
电容器 Nichicon 径向,Can CAP ALUM 2200UF 16V 20% RADIAL
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