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SUP90N06-5M0P-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V D-S 90A TO220AB; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：90A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：6190pF @ 30V; 功率_最大：3.75W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：剪切带 (CT)

SUP90N06-5M0P-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 60V TO220AB; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：90A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：6190pF @ 30V; 功率_最大：3.75W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：带卷 (TR)

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