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SUD35N10-26P-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 100V DPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：35A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫欧 @ 12A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：47nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 12V; 功率_最大：83W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）; 包装：带卷 (TR)

SUD35N10-26P-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 100V DPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：35A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫欧 @ 12A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：47nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 12V; 功率_最大：83W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）; 包装：剪切带 (CT)

SUD35N10-26P-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 100V DPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：35A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫欧 @ 12A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：47nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 12V; 功率_最大：83W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）; 包装：Digi-Reel®

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