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STL80N75F6 全国供应商、价格、PDF资料

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STL80N75F6详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 75V 18A POWERFLAT56
系列:STripFET™ VI, DeepGATE™
制造商:STMicroelectronics
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:75V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:80A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.3 毫欧 @ 9A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:7120pF @ 25V
功率_最大:80W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerVDFN
供应商设备封装:PowerFlat?(5x6)
包装:Digi-Reel®

STL80N75F6详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 75V 18A POWERFLAT56
系列:STripFET™ VI, DeepGATE™
制造商:STMicroelectronics
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:75V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:80A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.3 毫欧 @ 9A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:7120pF @ 25V
功率_最大:80W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerVDFN
供应商设备封装:PowerFlat?(5x6)
包装:剪切带 (CT)

STL80N75F6详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 75V 18A POWERFLAT56
系列:STripFET™ VI, DeepGATE™
制造商:STMicroelectronics
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:75V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:80A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.3 毫欧 @ 9A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:7120pF @ 25V
功率_最大:80W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerVDFN
供应商设备封装:PowerFlat?(5x6)
包装:带卷 (TR)

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