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STD8NM60N详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 7A DPAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：650 毫欧 @ 3.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 50V; 功率_最大：70W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

STD8NM60N详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 7A DPAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：650 毫欧 @ 3.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 50V; 功率_最大：70W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

STD8NM60N详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 7A DPAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：650 毫欧 @ 3.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 50V; 功率_最大：70W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

STD8NM60N-1详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 7A IPAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：650 毫欧 @ 3.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 50V; 功率_最大：70W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB; 供应商设备封装：I-Pak; 包装：管件

STD8NM60ND详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 7A DPAK; 系列：FDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫欧 @ 3.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 50V; 功率_最大：70W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

STD8NM60ND详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 7A DPAK; 系列：FDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫欧 @ 3.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 50V; 功率_最大：70W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

SSQ-110-03-G-D
矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 20POS DUAL GOLD
SMB10J22AHE3/52
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA，SMB TVS UNIDIR 1KW 22V 5% SMB
SQCSVA0R2BAT1A
陶瓷 AVX Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.2PF 250V 0603
STD878T4
晶体管(BJT) - 单路 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 TRANS BIPO NPN 30V 5A DPAK
ST10F269DT3
嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 144-BFQFP MCU 16BIT 256K FLASH 144QFP
SSL-LX3064LID
LED - 分立式 Lumex Opto/Components Inc 径向 LED T-3MM 635NM IRED DIFF
MS3472W8-98A
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 3POS PIN
SMB10J22HE3/52
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA，SMB TVS UNIDIR 1KW 22V 10% SMB
SSQ-110-03-S-D-RA
矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 20PS DL R/A GOLD
ST10F273M-4QR3
嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 144-BQFP MCU 16BIT 512K FLASH 144-PQFP
MS3472W8-98S
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 3POS FLANGE W/SKT
SMB10J22HE3/5B
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA，SMB TVS UNIDIR 1KW 22V 10% SMB
SSQ-110-03-S-S
矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 10POS SNGL GOLD
SSL-LX308F4GD
LED - 分立式 Lumex Opto/Components Inc 径向 LED T-3MM 7.75MM 565NM GRN DIFF
SQCSVA0R4BAT1A
陶瓷 AVX Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.4PF 250V 0603

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