STD878T4 全国供应商、价格、PDF资料

STD878T4详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS BIPO NPN 30V 5A DPAK

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：350mV @ 50mA，2A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 500mA，1V

功率_最大：15W

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：D-Pak

包装：剪切带 (CT)

STD878T4详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS BIPO NPN 30V 5A DPAK

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.2V @ 500mA，10A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 500mA，1V

功率_最大：15W

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：D-Pak

包装：带卷 (TR)

STD878T4详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS BIPO NPN 30V 5A DPAK

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：350mV @ 50mA，2A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 500mA，1V

功率_最大：15W

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：D-Pak

包装：Digi-Reel®