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STD11NM60N详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 10A DPAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：450 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：850pF @ 50V; 功率_最大：90W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

STD11NM60N详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 10A DPAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：450 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：850pF @ 50V; 功率_最大：90W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

STD11NM60N详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 10A DPAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：450 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：850pF @ 50V; 功率_最大：90W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

STD11NM60N-1详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：450 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：850pF @ 50V; 功率_最大：90W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB; 供应商设备封装：I-Pak; 包装：管件

STD11NM60ND详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 10A DPAK; 系列：FDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：450 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：850pF @ 50V; 功率_最大：90W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

STD11NM60ND详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 10A DPAK; 系列：FDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：450 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：850pF @ 50V; 功率_最大：90W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

SMAJ6.5CA
TVS - 二极管 Bourns Inc. DO-214AC，SMA DIODE TVS 6.5V 400W BI 5% SMD
SI3011-F-FS
接口 - 调制解调器 - IC 和模块 Silicon Laboratories Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC VOICE DAA GCI/PCM/SPI 16SOIC
STD11NM60N
FET - 单 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
SRS-4-525
电路板衬垫，支座 Bivar Inc PVC SCREW SPACER
ST12KHZQE
拨动开关 APEM Components, LLC 28-QSOP SWITCH TOGGLE MINI UNSELD
RT9818C-36GVL
PMIC - 监控器 Richtek USA Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VOLT DETECTOR 3.6V SOT23-3
SI5903DC-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引线 MOSFET DUAL P-CH 20V 2.1A 1206-8
SSA-LXB10IW
LED - 电路板指示器，阵列，发光条，条形图 Lumex Opto/Components Inc DO-214AC，SMA LED ARRAY 1.78X5MM 10IRED WHT
ST32ETA201
微調器 Copal Electronics Inc DO-214AA，SMB TRIMMER 200 OHM 0.125W SMD
SI5904DC-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引线 MOSFET DUAL N-CH 20V 3.1A 1206-8
RT9818C-42GV
PMIC - 监控器 Richtek USA Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VOLT DETECTOR 4.2V SOT23-3
ST12KMZQ
拨动开关 APEM Components, LLC 28-QSOP SWITCH TOGGLE MINI UNSELD
SRS-4-7MM
电路板衬垫，支座 Bivar Inc PVC SCREW SPACER
SSA-LXB140ID
LED - 电路板指示器，阵列，发光条，条形图 Lumex Opto/Components Inc DO-214AC，SMA LED ARRAY 2X5MM 14LED IRED DIFF
ST32ETA201
微調器 Copal Electronics Inc DO-214AA，SMB TRIMMER 200 OHM 0.125W SMD

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