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SSM3K15CT(TPL3)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH SGL 30V 0.1A CST3; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 欧姆 @ 10mA，4V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7.8pF @ 3V; 功率_最大：100mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-101，SOT-883; 供应商设备封装：CST3（1.0x0.6）; 包装：带卷 (TR)

SSM3K15CT(TPL3)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH SGL 30V 0.1A CST3; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 欧姆 @ 10mA，4V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7.8pF @ 3V; 功率_最大：100mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-101，SOT-883; 供应商设备封装：CST3（1.0x0.6）; 包装：剪切带 (CT)

SSM3K15CT(TPL3)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH SGL 30V 0.1A CST3; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 欧姆 @ 10mA，4V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7.8pF @ 3V; 功率_最大：100mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-101，SOT-883; 供应商设备封装：CST3（1.0x0.6）; 包装：Digi-Reel®

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