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SSM3J317T(TE85L,F) 全国供应商、价格、PDF资料

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SSM3J317T(TE85L,F)详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET P-CH 20V 3.6A TSM
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.6A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：107 毫欧 @ 1A，4.5V
Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.6nC @ 4V
输入电容333Ciss4440a0Vds：390pF @ 10V
功率_最大：700mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：TSM（2.9x2.8）
包装：剪切带 (CT)

SSM3J317T(TE85L,F)详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET P-CH 20V 3.6A TSM
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.6A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：107 毫欧 @ 1A，4.5V
Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.6nC @ 4V
输入电容333Ciss4440a0Vds：390pF @ 10V
功率_最大：700mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：TSM（2.9x2.8）
包装：带卷 (TR)

SSM3J317T(TE85L,F)详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET P-CH 20V 3.6A TSM
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.6A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：107 毫欧 @ 1A，4.5V
Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.6nC @ 4V
输入电容333Ciss4440a0Vds：390pF @ 10V
功率_最大：700mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：TSM（2.9x2.8）
包装：Digi-Reel®

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