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SSM3J130TU(TE85L)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25.8 毫欧 @ 4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24.8nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：3-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：UFM（2.0x2.1）; 包装：Digi-Reel®

SSM3J130TU(TE85L)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25.8 毫欧 @ 4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24.8nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：3-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：UFM（2.0x2.1）; 包装：剪切带 (CT)

SSM3J130TU(TE85L)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25.8 毫欧 @ 4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24.8nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：3-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：UFM（2.0x2.1）; 包装：带卷 (TR)

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