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SQJ840EP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.3 毫欧 @ 10.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 15V; 功率_最大：46W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

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SR275C104KAA
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.1UF 50V 10% RADIAL
SDSDM-512
存储器，PC 卡 SanDisk 非标准 MEMORY CARD MINI SD 512MB
SQCB7M2R7CAT1A
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 2.7PF 500V 1111
SPP-6B400
保险丝 - 电气，特制 Cooper Bussmann 熔丝连接环 FUSE MOD 400A 700V BLADE
SQJ412EP-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC
SFR2500001054FR500
通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 1.05M OHM MET FILM .40W 1%
RT1206BRD07680RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 680 OHM 1/4W .1% SMD 1206
RT0603DRD0728KL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603（1608 公制） RES 28K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
SDSDM-64-K
存储器，PC 卡 SanDisk 非标准 MEMORY CARD MINI SD 64MB W/ADPT
SPP-7E1000
保险丝 - 电气，特制 Cooper Bussmann 熔丝连接环 FUSE MOD 1000A 700V BLADE
SQCB7M2R7CATME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 2.7PF 500V 1111
SFR2500001070FR500
通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 107 OHM METL FILM .40W 1% T/
RT1206BRD0768RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 68.0 OHM 1/4W .1% SMD 1206
RT0603DRD0728RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603（1608 公制） RES 28.0 OHM 1/10W .5% SMD 0603
SR275C224KAA
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.22UF 50V 10% RADIAL