RT1206BRD07680RL的供应信息|PDF资料|求购RT1206BRD07680RL上51电子网

RT1206BRD07680RL详细规格: 类别：芯片电阻 - 表面安装; 描述：RES 680 OHM 1/4W .1% SMD 1206; 系列：RT; 制造商：Yageo; 电阻333Ω444：680; 功率333W444：0.25W，1/4W; 成分：薄膜; 特性：-; 温度系数：±25ppm/°C; 容差：±0.1%; 封装/外壳：1206（3216 公制）; 供应商器件封装：1206; 大小/尺寸：0.122" L x 0.063" W（3.10mm x 1.60mm）; 高度：0.026"（0.65mm）; 端子数：2; 包装：带卷 (TR)

RT1206BRD07680RL供应商

查看更多RT1206BRD07680RL的供应商

SQE48T30033-NGB0
DC DC Converters Power-One 8-DIP 模块 DC/DC CONVERT 3.3V 30A
SFR2500001052FR500
通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 10.50K OHM MTLFILM .40W 1% T
RT1206BRD07649KL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 649K OHM 1/4W .1% SMD 1206
RT0603DRD07280KL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603（1608 公制） RES 280K OHM 1/10W .5% SMD 0603
SR275C104KAA
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.1UF 50V 10% RADIAL
SDSDM-512
存储器，PC 卡 SanDisk 非标准 MEMORY CARD MINI SD 512MB
SQCB7M2R7CAT1A
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 2.7PF 500V 1111
SPP-6B400
保险丝 - 电气，特制 Cooper Bussmann 熔丝连接环 FUSE MOD 400A 700V BLADE
SQJ412EP-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC
RT0603DRD0728KL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603（1608 公制） RES 28K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
SDSDM-64-K
存储器，PC 卡 SanDisk 非标准 MEMORY CARD MINI SD 64MB W/ADPT
SR275C224KAA
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.22UF 50V 10% RADIAL
SQJ840EP-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SPP-7E1000
保险丝 - 电气，特制 Cooper Bussmann 熔丝连接环 FUSE MOD 1000A 700V BLADE
SQCB7M2R7CATME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 2.7PF 500V 1111