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SQ3427EEV-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫欧 @ 4.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1125pF @ 30V; 功率_最大：5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-74，SOT-457; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：带卷 (TR)

SQ3427EEV-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫欧 @ 4.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1125pF @ 30V; 功率_最大：5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-74，SOT-457; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：剪切带 (CT)

SQ3427EEV-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫欧 @ 4.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1125pF @ 30V; 功率_最大：5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-74，SOT-457; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：Digi-Reel®

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VI-B6X-MV
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 150W
SPB100N06S2L-05
FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
VJ1210A360KBAAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 36PF 50V 10% NP0 1210