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SQ3419EEV-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 2.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1065pF @ 20V; 功率_最大：5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-74，SOT-457; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：带卷 (TR)

SQ3419EEV-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 2.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1065pF @ 20V; 功率_最大：5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-74，SOT-457; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：Digi-Reel®

SQ3419EEV-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 2.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1065pF @ 20V; 功率_最大：5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-74，SOT-457; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：剪切带 (CT)

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