SIHU3N50D-E3 全国供应商、价格、PDF资料
SIHU3N50D-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.2 欧姆 @ 2.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:175pF @ 100V
- 功率_最大:104W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:TO-251AA
- 包装:剪切带 (CT)
SIHU3N50D-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.2 欧姆 @ 2.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:175pF @ 100V
- 功率_最大:104W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:TO-251AA
- 包装:带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0603(1608 公制) RES 34K OHM 0.05% 0603 SMD
- 钽 AVX Corporation 2917(7343 公制) CAP TANT 47UF 35V 20% 2917
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 1500PF 50V 5% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0603(1608 公制) RES 35.7K OHM 1/10W 0.1% 0603
- TVS - 晶闸管 Diodes Inc DO-214AA,SMB THYRISTOR PROTECT 30A BIDIR SMB
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
- 钽 AVX Corporation 2917(7343 公制) CAP TANT 470UF 4V 10% 2917
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 1.2PF 50V RADIAL
- 振荡器 TXC CORPORATION 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC MEMS 14.7456 MHZ 3.3V SMD
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 200PF 50V 1% RADIAL
- 钽 AVX Corporation 2917(7343 公制) CAP TANT 470UF 10V 10% 2917
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0603(1608 公制) RES 36.0K OHM 1/10W 0.1% 0603
- 振荡器 TXC CORPORATION 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC MEMS 14.7456 MHZ 2.5V SMD
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 200PF 50V 1% RADIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N CH 600V 7A TO-251