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SIE726DF-T1-GE3 全国供应商、价格、PDF资料

型号：厂商：批号：封装：
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SIE726DF-T1-GE3详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK
系列：SkyFET®, TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 毫欧 @ 25A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：7400pF @ 15V
功率_最大：125W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：10-PolarPAK?（L）
供应商设备封装：10-PolarPAK?（L）
包装：剪切带 (CT)

SIE726DF-T1-GE3详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK
系列：SkyFET®, TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 毫欧 @ 25A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：7400pF @ 15V
功率_最大：125W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：10-PolarPAK?（L）
供应商设备封装：10-PolarPAK?（L）
包装：Digi-Reel®

SIE726DF-T1-GE3详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK
系列：SkyFET®, TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 毫欧 @ 25A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：7400pF @ 15V
功率_最大：125W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：10-PolarPAK?（L）
供应商设备封装：10-PolarPAK?（L）
包装：带卷 (TR)

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