SIB800EDK-T1-GE3 全国供应商、价格、PDF资料

SIB800EDK-T1-GE3详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 20V 1.5A SC75-6

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：二极管（隔离式）

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：225 毫欧 @ 1.6A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.7nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：3.1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK? SC-75-6L

供应商设备封装：PowerPAK? SC-75-6L 单

包装：Digi-Reel®

SIB800EDK-T1-GE3详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 20V 1.5A SC75-6

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：二极管（隔离式）

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：225 毫欧 @ 1.6A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.7nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：3.1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK? SC-75-6L

供应商设备封装：PowerPAK? SC-75-6L 单

包装：带卷 (TR)

SIB800EDK-T1-GE3详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 20V 1.5A SC75-6

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：二极管（隔离式）

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：225 毫欧 @ 1.6A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.7nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：3.1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK? SC-75-6L

供应商设备封装：PowerPAK? SC-75-6L 单

包装：剪切带 (CT)