SI7540DP-T1-GE3 全国供应商、价格、PDF资料

SI7540DP-T1-GE3详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N/P-CH 12V PPAK 8-SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：N 和 P 沟道

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：12V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.6A，5.7A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫欧 @ 11.8A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.4W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK? SO-8

供应商设备封装：PowerPAK? SO-8

包装：剪切带 (CT)

SI7540DP-T1-GE3详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N/P-CH 12V PPAK 8-SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：N 和 P 沟道

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：12V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.6A，5.7A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫欧 @ 11.8A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.4W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK? SO-8

供应商设备封装：PowerPAK? SO-8

包装：带卷 (TR)

SI7540DP-T1-GE3详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N/P-CH 12V PPAK 8-SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：N 和 P 沟道

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：12V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.6A，5.7A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫欧 @ 11.8A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.4W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK? SO-8

供应商设备封装：PowerPAK? SO-8

包装：Digi-Reel®