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SIB414DK-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：8V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫欧 @ 7.9A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14.03nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：732pF @ 4V; 功率_最大：13W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-75-6L; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-75-6L 单; 包装：带卷 (TR)

SIB414DK-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：8V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫欧 @ 7.9A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14.03nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：732pF @ 4V; 功率_最大：13W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-75-6L; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-75-6L 单; 包装：剪切带 (CT)

SIB414DK-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：8V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫欧 @ 7.9A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14.03nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：732pF @ 4V; 功率_最大：13W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-75-6L; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-75-6L 单; 包装：Digi-Reel®

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