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SIB411DK-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：66 毫欧 @ 3.3A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 10V; 功率_最大：13W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-75-6L; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-75-6L 单; 包装：Digi-Reel®

SIB411DK-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：66 毫欧 @ 3.3A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 10V; 功率_最大：13W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-75-6L; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-75-6L 单; 包装：剪切带 (CT)

SIB411DK-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：66 毫欧 @ 3.3A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 10V; 功率_最大：13W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-75-6L; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-75-6L 单; 包装：带卷 (TR)

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SFH 4580-Z
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SH100M250ST
电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can CAP ALUM 10UF 250V 20% RADIAL
SR155C123KAATR1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.012UF 50V 10% RADIAL
SR211A562KAA
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 5600PF 100V 10% RADIAL
SLP472M050C5P3
电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 4700UF 50V 20% SNAP
SRF 55V02S NB
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