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» 型号"SIA417DJ-T1-GE3"的供应信息
SIA417DJ-T1-GE3 全国供应商、价格、PDF资料
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深圳外
SIA417DJ-T1-GE3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:8V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫欧 @ 7A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1600pF @ 4V
功率_最大:19W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? SC-70-6
供应商设备封装:PowerPAK? SC-70-6 单
包装:Digi-Reel®
SIA417DJ-T1-GE3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:8V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫欧 @ 7A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1600pF @ 4V
功率_最大:19W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? SC-70-6
供应商设备封装:PowerPAK? SC-70-6 单
包装:剪切带 (CT)
SIA417DJ-T1-GE3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:8V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫欧 @ 7A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1600pF @ 4V
功率_最大:19W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? SC-70-6
供应商设备封装:PowerPAK? SC-70-6 单
包装:带卷 (TR)
SIA417DJ-T1-GE3供应商
SIA417DJ-T1-GE3
深圳市聚正电子有限公司
0755-82718252
SIA417DJ-T1-GE3
深圳市科恒伟业电子有限公司
0755-88917652
SIA417DJ-T1-GE3
深圳市科翼源电子有限公司
15507540751
SIA417DJ-T1-GE3
深圳市芯脉实业有限公司
19166203057
SIA417DJ-T1-GE3
深圳市芯脉实业有限公司
0755-84507690
SIA417DJ-T1-GE3
北京元坤国际科技有限公司
010-62962871、
SIA417DJ-T1-GE3
深圳兴中扬电子科技有限公司
0755-83747144
SIA417DJ-T1-GE3
深圳市华睿芯科技有限公司
0755-23914326
SIA417DJ-T1-GE3
深圳市聚正电子有限公司
0755-82718252
SIA417DJ-T1-GE3
深圳市向鸿伟业电子有限公司
0755-82561519
SIA417DJ-T1-GE3
深圳市裕硕科技有限公司
0755-82767795
SIA417DJ-T1-GE3
深圳羚行科技有限公司
0755-18073598
SIA417DJ-T1-GE3
深圳市科恒伟业电子有限公司
0755-88917652
SIA417DJ-T1-GE3
深圳市富乐亚科技有限公司
0755-18503085
SIA417DJ-T1-GE3
深圳市鑫远鹏科技有限公司
15112667855
SIA417DJ-T1-GE3
深圳市华斯顿电子科技有限公司
0755-83777708
查看更多SIA417DJ-T1-GE3的供应商
SLP-2-236-01
铆钉 Richco Plastic Co 径向,Can - 卡入式 SNAP LOCK PINS TEAR-DROP .236"
SRC4392IPFBR
线性 - 音频处理 Texas Instruments 48-TQFP IC SAMPLE RATE CONV 2CH 48-TQFP
SIA417DJ-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
RT0805DRE0762RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 62 OHM 1/8W .5% 0805 SMD
SGB02N120
IGBT - 单路 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT NPT 1200V 6.2A 62W TO263-3
SR155A561JAT
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 560PF 50V 5% RADIAL
SR211A152JAR
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 1500PF 100V 5% RADIAL
SLP271M200A1P3
电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can - 卡入式 CAP ALUM 270UF 200V 20% SNAP
RT1206CRE07732KL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 732K OHM 1/4W .25% SMD 1206
SFH 309-4
光学 - 光电检测器 - 光电晶体管 OSRAM Opto Semiconductors Inc 径向,T-1 透镜 PHOTOTRANSISTOR NPN 3MM 860NM
SGC3S060
微调器,可变 Sprague-Goodman TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB CAP TRIMMER 2.2-6PF 500V SMD
SR155A620JAA
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 62PF 50V 5% RADIAL
RT1206CRE0773R2L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 73.2 OHM 1/4W .25% SMD 1206
SR211A182FAR
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 1800PF 100V 1% RADIAL
SLP271M450H5P3
电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can - 卡入式 CAP ALUM 270UF 450V 20% SNAP
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