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SI8900EDB-T2-E1详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET BIDIR N-CH 20V 2X5 10-MFP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫欧 @ 1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 1.1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：10-UFBGA，CSPBGA; 供应商设备封装：10-Micro Foot?（2x5）; 包装：Digi-Reel®

SI8900EDB-T2-E1详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET BIDIR N-CH 20V 2X5 10-MFP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫欧 @ 1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 1.1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：10-UFBGA，CSPBGA; 供应商设备封装：10-Micro Foot?（2x5）; 包装：带卷 (TR)

SI8900EDB-T2-E1详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET BIDIR N-CH 20V 2X5 10-MFP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫欧 @ 1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 1.1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：10-UFBGA，CSPBGA; 供应商设备封装：10-Micro Foot?（2x5）; 包装：剪切带 (CT)

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