SI8800EDB-T2-E1 全国供应商、价格、PDF资料

SI8800EDB-T2-E1详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：-

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫欧 @ 1A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 8V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-XFBGA，CSPBGA

供应商设备封装：4-Microfoot

包装：剪切带 (CT)

SI8800EDB-T2-E1详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：-

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫欧 @ 1A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 8V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-XFBGA，CSPBGA

供应商设备封装：4-Microfoot

包装：Digi-Reel®

SI8800EDB-T2-E1详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：-

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫欧 @ 1A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 8V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-XFBGA，CSPBGA

供应商设备封装：4-Microfoot

包装：带卷 (TR)