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SI7901EDN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL P-CH D-S 20V 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：48 毫欧 @ 6.3A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 800µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包装：带卷 (TR)

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SR217A561JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 560PF 500V 5% RADIAL
SQCAEM2R4CAJWE
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 2.4PF 150V 0605
RT0603DRD0714K7L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603（1608 公制） RES 14.7K OHM 1/10W .5% SMD 0603
SI7900AEDN-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH D-S 20V 1212-8 PPAK
SQCBEM102KAJME\500
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 1000PF 150V 10% 1111
SR895C103JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 10000PF 50V 5% RADIAL
SR217A680JAR
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 68PF 500V 5% RADIAL
SI4840BDY-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH D-S 40V 8SOIC
SQCAEM2R7BA7WE
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 2.7PF 150V 0605
SQCBEM102KAJMEV
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 1000PF 150V 10% 1111
SRAH-02A1A0R
DC DC Converters Bel Fuse Inc 7-DIP SMD 模块 CONV DC/DC 2A 12V .9-3.63VOUT
SR217A821JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 820PF 500V 5% RADIAL
RT0603DRD07150KL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603（1608 公制） RES 150K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
SQCAEM2R7BAJME
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 2.7PF 150V 0605
SI4840DY-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC