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SI7884BDP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 58A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：58A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：77nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3540pF @ 20V; 功率_最大：46W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：Digi-Reel®

SI7884BDP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 58A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：58A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：77nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3540pF @ 20V; 功率_最大：46W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7884BDP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 58A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：58A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：77nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3540pF @ 20V; 功率_最大：46W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

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SI1903DL-T1-E3
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VJ1812Y181KBPAT4X
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SI7884BDP-T1-GE3
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SL-120-G-12
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SI1913EDH-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6
SL-120-T-11
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc 径向圆柱形，3引线 CONN RCPT .100" 20POS GOLD PCB
VI-B3X-MY-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 50W
VI-B51-CX-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 75W
VI-BN4-IU-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 200W
VJ1812Y182KBFAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1812（4532 公制） CAP CER 1800PF 2KV 10% X7R 1812
SI1926DL-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSF N CH DUAL D-S 60V SC-70-6